被代替 GB/T 35306-2017
硅单晶中碳、氧含量的测定　低温傅立叶变换红外光谱法 硅单晶中碳、氧含量的测定　低温傅立叶变换红外光谱法 Test method for carbon and oxygen content of single crystal silicon—Low temperature fourier transform infrared spectrometry
发布日期：2017-12-29
实施日期：2018-07-01
分类信息
发布单位或类别： 中国 国家标准
CCS分类： H17冶金 - 金属化学分析方法 - 半金属及半导体材料分析方法
ICS分类： 77.040冶金 - 金属材料试验
研制信息

归口单位： 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)

起草单位： 昆明冶研新材料股份有限公司、 江苏中能硅业科技发展有限公司、 宜昌南玻硅材料有限公司、 新特能源股份有限公司、 亚洲硅业(青海)有限公司、 青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司、 陕西天宏硅材料有限责任公司

起草人： 张云晖、 韩小月、 毛智慧、 赵建为、 刘晓霞、 王桃霞、 田洪先、 刘明军、 银波、 刘国霞、 蔡延国、 秦榕、 童孟、 钱津旺、 杨红燕

标准简介

本标准规定了低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的方法。本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω·cm的N型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω·cm的P型硅单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的测定。本标准测定碳、氧含量的有效范围从5 X 10^(14)atoms·cm^(-3)(0.01 ppma)到硅中代位碳和间隙氧的最大固溶度

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最后更新时间 2025-09-06