归口单位: 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
起草单位: 有研光电新材料有限责任公司、 北京国晶辉红外光学科技有限公司、 国合通用测试评价认证股份公司、 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、 中国电子科技集团公司第四十六研究所、 广东先导稀材股份有限公司、 中锗科技有限公司、 义乌力迈新材料有限公司
起草人: 张路、 冯德伸、 马会超、 普世坤、 姚康、 刘新军、 郭荣贵、 向清华、 韦圣林、 黄洪伟文
本标准规定了锗单晶位错密度的测试方法。本标准适用于{111},{100}和{113)面锗单晶位错密度的测试,测试范围为0cm^(-2)~100000cm^(-2)
最后更新时间 2025-09-07