归口单位： 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
起草单位： 乐山市产品质量监督检验所、 青海芯测科技有限公司、 江苏中能硅业科技发展有限公司、 亚洲硅业（青海）股份有限公司、 新特能源股份有限公司、 有研半导体硅材料股份公司、 四川永祥股份有限公司、 陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司、 江苏鑫华半导体材料科技有限公司、 洛阳中硅高科技有限公司、 新疆协鑫新能源材料科技有限公司、 国标（北京）检验认证有限公司、 有色金属技术经济研究院有限责任公司、 宜昌南玻硅材料有限公司、 江苏秦烯新材料有限公司、 义乌力迈新材料有限公司
起草人： 梁洪、 赵晓斌、 万涛、 薛心禄、 魏东亮、 王彬、 邱艳梅、 杨素心、 李素青、 李朋飞、 赵培芝、 王永涛、 魏强、 楚东旭、 周延江、 刘文明、 刘红、 何建军、 皮坤林
本文件描述了用低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中Ⅲ、V族杂质含量的方法。本文件适用于硅单晶中的Ⅲ、V族杂质铝(Al)、锑(Sb)、砷(As)、硼(B)、镓(Ga)、铟(In)和磷(P)含量的测定,各元素的测定范围(以原子数计)为1.0X10(10) cm-3~4.1X10(14) cm-3
最后更新时间 2025-09-07