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T/CASAS 022-2022 标准详情

T/CASAS 022-2022 现行
三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范
Technical specification for gallium nitride field effect transistor used in line terminal units and triphase electricity meters

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标准状态

2022-12-09
2022-12-09

标准信息

北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
否
31.080.01 半导体器分立件综合
C397 电子器件制造
tbQbw86
现行
T/CASAS 022-2022
三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范
Technical specification for gallium nitride field effect transistor used in line terminal units and triphase electricity meters

适用范围

本文件规定了应用于三相智能电表的氮化镓场效应晶体管（以下简称“GaN晶体管”）的术语和定义、符号和缩略语、技术要求、试验方法、检测规则以及包装、运输及储存。 本文件适用于三相智能电表用关态源漏电压V_DS额定值为900 V、系统输出功率范围20 W- 100 W、工作频率40 kHz- 500 kHz的氮化镓场效应晶体管。小型线路终端等应用领域电源模块中的晶体管可参考使用。

主要技术内容

本文件规定了应用于三相智能电表的氮化镓场效应晶体管（以下简称“GaN晶体管”）的术语和定义、符号和缩略语、技术要求、试验方法、检测规则以及包装、运输及储存。本文件适用于三相智能电表用关态源漏电压V_DS额定值为900 V、系统输出功率范围20 W- 100 W、工作频率40 kHz- 500 kHz的氮化镓场效应晶体管。小型线路终端等应用领域电源模块中的晶体管可参考使用。

起草单位

深圳智芯微电子科技有限公司、深圳市国电科技通信有限公司、珠海镓未来科技有限公司、广州广电计量检测股份有限公公司、工业和信息化电子第五研究所、泰克科技（中国）有限公司、佛山市国星光电股份有限公司、东莞南方半导体科技有限公司、浙江大学、南方科技大学、厦门华联电子股份有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

起草人

王祥、洪海敏、温雷、曾凡明、李汝冠、贺致远、孙川、马胜国、武占侠、顾才鑫、谢健兴、乔良、李胜、董泽政、汪青、郑智斌、高伟

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