T/CASAS 027-2023 标准详情
T/CASAS 027-2023
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射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法
Two—dimensional electron gas mobility of RF GaN HEMT epitaxial wafers—Non—contact Hall measurement method
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主要技术内容
T/CASAS 027—2023《射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法》描述了射频GaN HEMT外延片的二维电子气迁移率非接触Hall测量方法的测试原理、干扰因素、测试程序和试验报告。适用于半绝缘衬底上的GaN HEMT外延片二维电子气迁移率测量，其迁移率测量范围在100 〖cm〗^2?(V?s)～20000 〖cm〗^2?(V?s)。测试方法同样适用于其他材料体系的类似结构（例如GaAs、InP HEMT结构）外延片的二维电子气迁移率测量，衬底材料的导电性应为半绝缘。
起草单位
中国科学院半导体研究所、厦门市三安集成电路有限公司、北京大学、中兴通讯股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、LUVASYTEMINC.、苏州能讯高能半导体有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
起草人
魏学成、刘波亭、杨学林、刘建利、宋学峰、RogerLuo、裴轶、徐瑞鹏
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