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T/IAWBS 016-2022 标准详情

T/IAWBS 016-2022 现行
碳化硅单晶片 X 射线双晶摇 摆曲线半高宽测试方法

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标准状态

2022-03-17
2022-03-24

标准信息

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
否
29.045
C398 电子元件及电子专用材料制造
tbQbw86
现行
T/IAWBS 016-2022
碳化硅单晶片 X 射线双晶摇 摆曲线半高宽测试方法

适用范围

本文件规定了利用双晶 X 射线衍射仪测试碳化硅单晶片摇摆曲线半高宽的方法。 本文件适用于物理气相传输及其它方法生长制备的碳化硅单晶片。 本文件适用于在室温下碳化硅单晶片的正晶向和偏角度的摇摆曲线检测。

主要技术内容

本文件规定了利用双晶 X 射线衍射仪测试碳化硅单晶片摇摆曲线半高宽的方法。本文件适用于物理气相传输及其它方法生长制备的碳化硅单晶片。本文件适用于在室温下碳化硅单晶片的正晶向和偏角度的摇摆曲线检测。

起草单位

国宏中宇科技发展有限公司、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中科钢研节能科技有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国科学院物理研究所、北京三平泰克科技有限责任公司、北京聚睿众邦科技有限公司、芜湖启迪半导体有限公司、中国科学院半导体研究所

起草人

刘素娟、鲍慧强、李龙远、王锡铭、赵然、赵子强、刘春俊、闫方亮、郑红军、王文军、钮应喜、刘兴昉、刘祎晨

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