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SJ/T 11586-2016 现行
半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法

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标准状态

2016-01-15
2016-06-01

标准信息

工业和信息化部
工业和信息化部电子工业标准化研究院
制定
L40
31.080.01
方法标准
电子
行业标准
现行
SJ/T 11586-2016
半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法

起草单位

工业和信息化部电子第五研究所

起草人

罗宏伟、何玉娟、恩云飞 等

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