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T/ACCEM 515-2025 标准详情

T/ACCEM 515-2025 现行
高性能高密度沟槽栅IGBT器件

标准内容导航

标准状态

2025-03-20
2025-04-18

标准信息

中国商业企业管理协会
否
L 42
31.080.01 半导体器分立件综合
C397 电子器件制造
tbQbw86
现行
T/ACCEM 515-2025
高性能高密度沟槽栅IGBT器件

主要技术内容

本文件规定了高性能高密度沟槽栅IGBT器件的结构、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于高性能高密度沟槽栅IGBT器件的生产和检验。

起草单位

青岛佳恩半导体有限公司、青岛佳恩半导体科技有限公司、深圳佳恩功率半导体有限公司、苏州创芯致尚微电子有限公司

起草人

王丕龙、王新强、何钧、李学贵、张凯、吴洪基、陈佳恩、侯彩侠、王永铖、朱建英、朱加庚、马丽娜、李娜、武瑶萍、邓颖、谭文涛、贾洪玉、李永、郑建国、杨玉珍、秦鹏海、李婉秋、刘增、豆坤、李晓东、李大鑫

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