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摘要:本文件规定了半导体发光二极管芯片的术语和定义、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于以GaAs、InGaAlP、GaN等为材料制成的半导体发光二极管芯片。
Title:Semiconductor Light Emitting Diode Chip
中国标准分类号:L80
国际标准分类号:31.140
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拓展解读
福建省地方标准《半导体发光二极管芯片》(DB35/T 1193-2011)对LED芯片的技术要求、测试方法、检验规则等进行了详细规定。以下选取部分关键条款进行深入解读:
在技术要求方面,标准明确规定了芯片的外观质量,包括表面应平整无划痕、无裂纹等缺陷。对于电学性能,要求正向电压在特定电流下应符合规定范围,反向漏电流则需低于某一阈值。此外,芯片的光输出功率和波长偏差也是重要指标,光输出功率不得低于标称值的85%,波长偏差应在±10nm以内。
在可靠性方面,标准提出了严格的耐热冲击试验要求,即芯片需经受多次高低温循环而不出现性能下降或物理损伤。同时,还规定了湿气敏感度等级,确保芯片在潮湿环境下仍能保持良好的工作状态。
测试方法部分详细描述了如何测量上述各项参数。例如,使用高精度数字源表来测定正向和反向电学特性,采用积分球法来评估光输出功率,利用光谱仪精确测量发射光谱以确定波长。
检验规则明确了出厂检验和型式检验的内容及抽样方案。出厂检验为逐批检查,而型式检验则是在新产品定型时进行全面检测。这些规定旨在保证每一批产品的质量和一致性。
总之,该标准为福建省内LED芯片生产企业提供了统一的技术规范,有助于提高产品质量,促进产业发展。企业应严格按照标准执行,确保产品达到规定的各项技术指标。