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摘要:本文件规定了3DG180型NPN硅外延平面高频小功率高反压三极管的技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于3DG180型NPN硅外延平面高频小功率高反压三极管的设计、生产和验收。
Title:Specification for 3DG180 Type NPN Silicon Epitaxial Planar High Frequency Low Power High Reverse Voltage Transistor
中国标准分类号:M62
国际标准分类号:31.140
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拓展解读
SJ 800-1974 3DG180型NPN硅外延平面高频小功率高反压三极管是一种广泛应用于电子电路中的半导体器件。以下是关于该型号三极管的一些常见问题及其详细解答。
3DG180是一种NPN型硅外延平面结构的高频小功率高反压三极管,适用于高频信号放大和开关电路中。其主要特点是具有较高的击穿电压(反向电压)和良好的频率响应特性。
3DG180适合用于需要高频响应的小功率放大器或开关电路中。例如,在射频电路、振荡器、调制解调器等场景中表现优异。但由于其功率较小,不适合高功率负载的应用。
3DG180采用硅外延平面工艺制造,相比传统三极管具有更高的频率响应能力和更低的噪声水平。此外,其高反压特性使其更适合在高压环境中使用。
在某些情况下,3DG180可以作为替代品使用,但需确保其参数满足电路需求。例如,如果电路需要更高的功率输出,则可能需要选择更大功率的三极管。
3DG180通常采用TO-18或TO-92等小型封装形式,便于安装在印刷电路板上。