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  • SJ 800-1974 3DG180型NPN硅外延平面高频小功率高反压三极管

    SJ 800-1974 3DG180型NPN硅外延平面高频小功率高反压三极管
    三极管NPN硅外延高频小功率
    17 浏览2025-06-07 更新pdf0.31MB 未评分
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    摘要:本文件规定了3DG180型NPN硅外延平面高频小功率高反压三极管的技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于3DG180型NPN硅外延平面高频小功率高反压三极管的设计、生产和验收。
    Title:Specification for 3DG180 Type NPN Silicon Epitaxial Planar High Frequency Low Power High Reverse Voltage Transistor
    中国标准分类号:M62
    国际标准分类号:31.140

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    SJ 800-1974 3DG180型NPN硅外延平面高频小功率高反压三极管
  • 拓展解读

    常见问题解答(FAQ)

    SJ 800-1974 3DG180型NPN硅外延平面高频小功率高反压三极管是一种广泛应用于电子电路中的半导体器件。以下是关于该型号三极管的一些常见问题及其详细解答。

    1. 什么是3DG180三极管?

    3DG180是一种NPN型硅外延平面结构的高频小功率高反压三极管,适用于高频信号放大和开关电路中。其主要特点是具有较高的击穿电压(反向电压)和良好的频率响应特性。

    2. 3DG180的主要参数有哪些?

    • 集电极-发射极击穿电压(VCEO):通常为60V或更高。
    • 集电极-基极击穿电压(VCBO):一般为75V。
    • 发射极-基极击穿电压(VEBO):约为5V。
    • 集电极最大电流(IC):约100mA。
    • 工作频率范围:适合于高频应用,典型值可达数百MHz。

    3. 如何正确选择3DG180的应用场景?

    3DG180适合用于需要高频响应的小功率放大器或开关电路中。例如,在射频电路、振荡器、调制解调器等场景中表现优异。但由于其功率较小,不适合高功率负载的应用。

    4. 为什么3DG180被称为“高频小功率高反压”三极管?

    • 高频:其设计能够支持较高的工作频率,适用于射频和微波电路。
    • 小功率:最大集电极电流仅为100mA左右,因此适合驱动小负载。
    • 高反压:具有较高的击穿电压,能够在较高电压环境下稳定工作。

    5. 使用3DG180时需要注意哪些事项?

    • 确保电路设计符合其最大额定参数要求,避免过流或过压损坏。
    • 注意散热问题,尤其是在高频工作条件下。
    • 在焊接过程中,避免过高的焊接温度或时间,以免损坏内部结构。

    6. 3DG180与普通三极管的区别是什么?

    3DG180采用硅外延平面工艺制造,相比传统三极管具有更高的频率响应能力和更低的噪声水平。此外,其高反压特性使其更适合在高压环境中使用。

    7. 3DG180是否可以替代其他型号的三极管?

    在某些情况下,3DG180可以作为替代品使用,但需确保其参数满足电路需求。例如,如果电路需要更高的功率输出,则可能需要选择更大功率的三极管。

    8. 如何判断3DG180是否损坏?

    • 测量其静态工作点是否正常。
    • 检查其在不同偏置条件下的增益是否符合规格。
    • 使用万用表检测其引脚之间的电阻值是否异常。

    9. 3DG180的封装形式有哪些?

    3DG180通常采用TO-18或TO-92等小型封装形式,便于安装在印刷电路板上。

    10. 如何正确存储3DG180以延长使用寿命?

    • 存放在干燥、无腐蚀性气体的环境中。
    • 避免阳光直射和高温环境。
    • 包装完好,防止静电损害。
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