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资源简介
摘要：本文件规定了3DG120型NPN硅外延平面高频小功率三极管的技术要求、测试方法和质量评定程序。本文件适用于3DG120型NPN硅外延平面高频小功率三极管的设计、生产和验收。
Title：Specification for 3DG120 Type NPN Silicon Epitaxial Planar High Frequency Low Power Transistor
中国标准分类号：M75
国际标准分类号：31.140 -
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拓展解读
总结 SJ 789-1974 3DG120型NPN硅外延平面高频小功率三极管
该标准规定了3DG120型NPN硅外延平面高频小功率三极管的技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装和贮存等内容。
对比与老版本的变化
- 技术参数：新版本对电流增益、集电极-发射极击穿电压等关键性能指标进行了优化，提高了产品的稳定性和可靠性。
- 制造工艺：采用了更先进的硅外延平面工艺，相较于老版本的合金工艺，显著提升了高频性能和一致性。
- 测试方法：引入了更为精确的测试设备和方法，确保产品质量的一致性。
- 应用范围：扩展了适用场景，特别是在高频电路中的表现更加优异。
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