资源简介
摘要:本文件规定了3DG170型NPN硅外延平面高频小功率高反压三极管的技术要求、测试方法及质量评定程序。本文件适用于3DG170型NPN硅外延平面高频小功率高反压三极管的设计、生产和验收。
Title:Specification for 3DG170 Type NPN Silicon Epitaxial Planar High Frequency Low Power High Reverse Voltage Transistor
中国标准分类号:M42
国际标准分类号:31.080
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拓展解读
优先级:高
SJ 799-1974是中国国家标准化管理委员会发布的一项标准,用于规范3DG170型NPN硅外延平面高频小功率高反压三极管的技术要求和测试方法。
3DG170的主要技术参数包括:
高频:其设计能够支持较高的工作频率,适合用于射频或高速开关电路。
小功率:额定功率较低,适合驱动小型负载。
高反压:具有较高的耐压能力,能够在高电压环境下稳定工作。
3DG170常用于以下场景:
选择偏置电阻时需考虑以下因素:
优点:
注意事项:
在某些情况下可以替代,但需满足以下条件:
可以通过以下方法判断:
目前市面上仍有供应,但可能属于淘汰产品。建议尽早采购备货,以备后续维护或升级之需。
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