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资源简介
摘要：本文件规定了3DD59和3DD60型NPN硅外延平面低频大功率三极管的技术要求、测试方法及质量评定程序。本文件适用于3DD59和3DD60型NPN硅外延平面低频大功率三极管的设计、生产和验收。
Title：Specification for 3DD59 and 3DD60 Type NPN Silicon Epitaxial Planar Low Frequency High Power Transistors
中国标准分类号：M42
国际标准分类号：31.080.01 -
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拓展解读
总结SJ 771-1974标准内容
SJ 771-1974标准主要规定了3DD59和3DD60型NPN硅外延平面低频大功率三极管的技术要求、测试方法及检验规则。这些三极管主要用于低频大功率场景，具有较高的可靠性和稳定性。
- 技术参数：包括额定电流、电压、功率损耗等关键指标。
- 制造工艺：采用硅外延平面工艺，确保器件的高频性能和可靠性。
- 应用领域：适用于通信设备、工业控制等领域。
对比老版本的变化
与老版本相比，SJ 771-1974在以下几个方面进行了改进：
- 性能提升：提高了最大集电极电流和功率输出能力。
- 工艺优化：采用了更先进的硅外延平面技术，减少了寄生效应。
- 可靠性增强：通过改进设计和材料，延长了产品的使用寿命。
- 测试标准更新：引入了更严格的测试条件以确保产品质量。
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