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资源简介
摘要：本文件规定了3DG251型硅超高频低噪声晶体管的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于3DG251型硅超高频低噪声晶体管的设计、生产和验收。
Title：Semiconductor Discrete Devices - Specification for Silicon UHF Low Noise Transistor Type 3DG251
中国标准分类号：M41
国际标准分类号：31.080.20 -
封面预览
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拓展解读
概述
SJ 50033154-2002 是关于半导体分立器件中 3DG251 型硅超高频低噪声晶体管的详细规范。该标准规定了晶体管的技术要求、测试方法、检验规则以及标志、包装等内容。
主要内容
- 技术要求：
- 明确了晶体管的电气参数，包括工作频率范围、电流增益、噪声系数等。
- 对晶体管的物理特性如外形尺寸、引脚排列等进行了详细描述。
- 测试方法：
- 详细说明了如何进行电气性能测试和可靠性测试。
- 引入了新的测试设备和技术以提高测试精度。
- 检验规则：
- 规定了产品的抽样方案和合格判定准则。
- 增加了对老化试验的要求。
- 标志与包装：
- 明确了产品的标识内容和包装要求。
- 改进了包装材料以增强防护性能。
与老版本的变化
- 新增了更高频率范围的支持。
- 优化了噪声系数的指标要求。
- 更新了部分测试设备和方法以适应现代生产需求。
- 加强了产品可靠性的评估和验证。
- 技术要求：
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