• 首页
  • 查标准
  • 下载
  • 专题
  • 标签
  • 首页
  • 标准
  • 制造
  • SJ 50033151-2002 半导体分立器件.2DW14~18型低噪声硅电压基准二极管.详细规范

    SJ 50033151-2002 半导体分立器件.2DW14~18型低噪声硅电压基准二极管.详细规范
    半导体分立器件低噪声硅电压基准二极管2DW14~18型详细规范
    12 浏览2025-06-07 更新pdf0.43MB 未评分
    加入收藏
    立即下载
  • 资源简介

    摘要:本文件规定了2DW14~18型低噪声硅电压基准二极管的技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于2DW14~18型低噪声硅电压基准二极管的设计、生产和验收。
    Title:Semiconductor Discrete Devices - Detailed Specifications for Low Noise Silicon Voltage Reference Diodes of Type 2DW14~18
    中国标准分类号:M73
    国际标准分类号:31.080.30

  • 封面预览

    SJ 50033151-2002 半导体分立器件.2DW14~18型低噪声硅电压基准二极管.详细规范
  • 拓展解读

    总结SJ 50033151-2002主要内容

    SJ 50033151-2002《半导体分立器件.2DW14~18型低噪声硅电压基准二极管.详细规范》主要规定了2DW14至2DW18系列低噪声硅电压基准二极管的技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存等内容。

    • 技术要求: 包括电气参数、环境适应性、机械性能等。
    • 试验方法: 提供了具体的测试步骤和条件以验证产品是否符合标准。
    • 检验规则: 规定了产品的检验分类、抽样方案及判定规则。
    • 标志、包装、运输和贮存: 明确了产品的标识方式、包装要求以及在运输和存储过程中的注意事项。

    对比老版本的变化

    与老版本相比,SJ 50033151-2002在以下几个方面进行了更新:

    • 技术指标提升: 新版本对部分电气参数提出了更高的要求,例如电压精度和温度稳定性。
    • 试验方法改进: 引入了更先进的测试技术和设备,确保检测结果的准确性和可靠性。
    • 环保要求加强: 增加了关于有害物质限制使用的条款,符合国际环保趋势。
    • 包装规范细化: 对包装材料的选择和包装方式做了更加详细的说明,以提高产品的保护性能。
  • 下载说明

    预览图若存在模糊、缺失、乱码、空白等现象,仅为图片呈现问题,不影响文档的下载及阅读体验。

    当文档总页数显著少于常规篇幅时,建议审慎下载。

    资源简介仅为单方陈述,其信息维度可能存在局限,供参考时需结合实际情况综合研判。

    如遇下载中断、文件损坏或链接失效,可提交错误报告,客服将予以及时处理。

  • 相关资源
    下一篇 SJ 50033155-2002 半导体分立器件.3DG252型硅微波线性晶体管.详细规范

    SJ 50033154-2002 半导体分立器件.3DG251型硅超高频低噪声晶体管.详细规范

    SJ 50033156-2002 半导体分立器件.3DA505型硅微波脉冲功率晶体管.详细规范

    SJ 50033157-2002 半导体分立器件.3DA506型硅微波脉冲功率晶体管.详细规范

    SJ 50033159-2002 半导体分立器件.3DG142型硅超高频低噪声晶体管.详细规范

资源简介
封面预览
拓展解读
下载说明
相关资源
  • 帮助中心
  • 网站地图
  • 联系我们
2024-2025 WenDangJia.com 浙ICP备2024137650号-1