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    SJ 50033109-1996 半导体光电子器件.GJ9031T、GJ9032T和GJ9034T型半导体激光二极管.详细规范
    半导体光电子器件半导体激光二极管GJ9031TGJ9032TGJ9034T
    17 浏览2025-06-07 更新pdf0.4MB 未评分
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    摘要:本文件规定了GJ9031T、GJ9032T和GJ9034T型半导体激光二极管的详细规范,包括主要参数、测试方法及质量要求。本文件适用于上述型号半导体激光二极管的设计、生产和验收。
    Title:Semiconductor Optoelectronic Devices - Specifications for GJ9031T, GJ9032T and GJ9034T Semiconductor Laser Diodes
    中国标准分类号:M53
    国际标准分类号:31.080

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    SJ 50033109-1996 半导体光电子器件.GJ9031T、GJ9032T和GJ9034T型半导体激光二极管.详细规范
  • 拓展解读

    摘要

    本文针对SJ 50033109-1996半导体光电子器件标准中的GJ9031T、GJ9032T和GJ9034T型半导体激光二极管进行了详细的分析与阐述。这些器件在现代光通信、激光加工及医疗领域具有广泛的应用价值。通过深入研究其技术参数、性能指标及应用范围,本文旨在为相关领域的研究人员和技术人员提供参考。

    引言

    随着信息技术的快速发展,半导体激光二极管作为核心光电转换元件,其性能直接影响到整个系统的稳定性和效率。GJ9031T、GJ9032T和GJ9034T系列激光二极管因其高可靠性、长寿命及优异的光电特性,成为众多应用场景的理想选择。本论文将从技术规格、测试方法及实际应用三个方面对这些器件进行系统性探讨。

    技术规格

    • GJ9031T型半导体激光二极管
      • 工作波长:808nm ± 10nm
      • 输出功率:≥50mW
      • 阈值电流:<50mA
      • 正向电压:<2.0V
    • GJ9032T型半导体激光二极管
      • 工作波长:980nm ± 10nm
      • 输出功率:≥100mW
      • 阈值电流:<70mA
      • 正向电压:<2.2V
    • GJ9034T型半导体激光二极管
      • 工作波长:1550nm ± 10nm
      • 输出功率:≥200mW
      • 阈值电流:<120mA
      • 正向电压:<2.5V

    测试方法

    为了确保上述器件符合SJ 50033109-1996标准的要求,测试过程遵循以下步骤:

    • 使用高精度光功率计测量输出功率。
    • 利用低温恒温箱模拟极端环境条件下的性能表现。
    • 借助脉冲电流源评估阈值电流与正向电压。
    • 通过光学显微镜检查封装质量及表面完整性。

    应用领域

    这些半导体激光二极管在多个领域展现出卓越的应用潜力:

    • 光纤通信:GJ9031T和GJ9032T适用于短距离数据传输,而GJ9034T则更适合长距离通信。
    • 工业加工:高功率输出使其成为激光切割、焊接的理想光源。
    • 生物医学:特定波长的激光可用于医疗成像及治疗。

    结论

    通过对GJ9031T、GJ9032T和GJ9034T型半导体激光二极管的技术规格、测试方法及应用领域的全面分析,可以得出这些器件在性能和可靠性方面均达到了行业领先水平。未来的研究方向应集中在进一步优化器件设计以提升效率,并探索更多潜在的应用场景。

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