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  • SJ 50033.54-1994 半导体分立器件.CS0532型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范

    SJ 50033.54-1994 半导体分立器件.CS0532型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
    砷化镓微波功率场效应晶体管半导体分立器件CS0532型详细规范
    23 浏览2025-06-07 更新pdf0.36MB 未评分
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    摘要:本文件规定了CS0532型砷化镓微波功率场效应晶体管的技术要求、测试方法及质量评定程序。本文件适用于CS0532型砷化镓微波功率场效应晶体管的设计、生产和验收。
    Title:Semiconductor Discrete Devices - Detailed Specifications for CS0532 Type Gallium Arsenide Microwave Power Field Effect Transistor
    中国标准分类号:M12
    国际标准分类号:31.080.01

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    SJ 50033.54-1994 半导体分立器件.CS0532型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
  • 拓展解读

    主要内容

    SJ 50033.54-1994 是关于 CS0532 型砷化镓微波功率场效应晶体管的详细规范,规定了该器件的技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存等内容。

    对比老版本的变化

    • 技术要求:
      • 增加了对高频性能的新指标要求。
      • 改进了热阻参数的测量方法。
    • 试验方法:
      • 引入了更先进的测试设备和技术。
      • 优化了射频参数的测试流程。
    • 检验规则:
      • 提高了抽样检验的比例。
      • 新增了可靠性验证试验的要求。
    • 标志、包装、运输和贮存:
      • 更新了包装材料的标准。
      • 强化了防静电保护措施。
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