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    SJ 3128-1988 电子元器件详细规范.3DD820型硅NPN低频放大管壳额定双极型晶体管
    电子元器件硅NPN低频放大管双极型晶体管壳额定3DD820
    12 浏览2025-06-07 更新pdf0.47MB 未评分
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    摘要:本文件规定了3DD820型硅NPN低频放大管壳额定双极型晶体管的技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于3DD820型硅NPN低频放大管壳额定双极型晶体管的设计、生产和验收。
    Title:Specification for 3DD820 Type Silicon NPN Low Frequency Amplifier Bipolar Transistor
    中国标准分类号:M61
    国际标准分类号:31.080.01

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    SJ 3128-1988 电子元器件详细规范.3DD820型硅NPN低频放大管壳额定双极型晶体管
  • 拓展解读

    FAQ: SJ 3128-1988 电子元器件详细规范 - 3DD820型硅NPN低频放大管壳额定双极型晶体管

    问题1:什么是SJ 3128-1988标准?

    SJ 3128-1988是中国国家标准化管理委员会发布的一项标准,用于规范电子元器件的详细技术要求。具体来说,它针对3DD820型硅NPN低频放大管壳额定双极型晶体管制定了详细的规格和性能指标。

    问题2:3DD820型晶体管的主要用途是什么?

    3DD820型晶体管是一种低频放大器,广泛应用于音频设备、功率放大电路以及信号处理等领域。它的主要功能是将输入信号进行放大,以满足后续电路的需求。

    问题3:3DD820型晶体管的关键参数有哪些?

    • 集电极-发射极击穿电压(VCEO):通常为45V,表示在断开基极的情况下,集电极与发射极之间的最大允许电压。
    • 集电极-发射极饱和电压(VCES):通常为2V,表示晶体管处于饱和状态时的电压降。
    • 集电极电流(IC):通常为1.5A,表示晶体管能够安全承载的最大电流。
    • 增益(hFE):通常在20至300之间,表示晶体管的电流放大能力。

    问题4:如何正确选择3DD820型晶体管的工作条件?

    在选择工作条件时,需要考虑以下几点:
    1. 确保工作电压不超过VCEO;
    2. 集电极电流不得超过IC;
    3. 基极驱动电流需足够大以保证晶体管进入饱和或截止状态。
    此外,建议查阅具体应用中的电路设计手册,以确保符合实际需求。

    问题5:3DD820型晶体管是否适用于高频电路?

    不适用。3DD820型晶体管专为低频电路设计,其频率响应特性并不适合高频应用。对于高频电路,应选用专门设计的高频晶体管。

    问题6:如何判断3DD820型晶体管是否损坏?

    • 测量集电极-发射极电阻:若阻值异常,则可能损坏。
    • 检查静态工作点:若工作点偏离正常范围,则可能存在问题。
    • 使用万用表测试增益:若增益显著下降,则可能失效。

    问题7:3DD820型晶体管的封装形式有哪些?

    3DD820型晶体管常见的封装形式包括TO-126和TO-220,这些封装形式提供了良好的散热性能和电气连接稳定性。

    问题8:如何正确存储和运输3DD820型晶体管?

    • 避免静电放电,使用防静电包装。
    • 存放于干燥、阴凉的地方,防止受潮。
    • 避免机械冲击和振动,以免损坏内部结构。

    问题9:3DD820型晶体管是否有替代型号?

    是的,一些现代型号如2N2222、BC337等可以作为替代品,但需根据具体应用场景重新评估其性能参数。

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