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摘要:本文件规定了3CD549型、3CD550型、3CD649型PNP硅外延平面低频大功率三极管的技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于3CD549型、3CD550型、3CD649型PNP硅外延平面低频大功率三极管的设计、生产和验收。
Title:SJ 2377-1983 Specifications for PNP silicon epitaxial planar low-frequency high-power transistors of types 3CD549, 3CD550 and 3CD649
中国标准分类号:M72
国际标准分类号:31.080.20
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拓展解读
SJ 2377-1983 3CD549型、3CD550型、3CD649型PNP硅外延平面低频大功率三极管
这些三极管主要用于低频大功率场景,例如工业控制设备、音频放大器、开关电源等需要高电流输出的应用领域。
这些三极管是PNP型硅外延平面结构的三极管,适用于驱动大电流负载。
“低频”特性意味着这些三极管在较低频率下具有良好的性能表现,适合处理低频信号或直流电能传输任务,而不适合高频应用。
具体电压范围需根据实际应用场景选择合适的型号。
这些三极管为PNP型,因此其引脚连接方式如下:
注意:确保基极输入为正电压以导通三极管。
这些三极管具有较高的功耗能力,具体如下:
设计电路时需合理分配功耗,避免过热损坏。
超出参数范围可能导致器件失效。
可以并联使用,但需注意以下几点:
并联使用前需仔细评估电路设计。
目前没有完全相同的替代型号,但可以根据具体需求选择其他PNP型硅三极管,如3DD系列或其他符合低频大功率特性的产品。
如果发现异常,建议更换三极管。