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  • SJ 2355.2-1983 半导体发光器件测试方法.正向压降的测试方法

    SJ 2355.2-1983 半导体发光器件测试方法.正向压降的测试方法
    半导体发光器件正向压降测试方法电特性光电器件
    20 浏览2025-06-07 更新pdf0.04MB 未评分
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    摘要:本文件规定了半导体发光器件正向压降的测试方法,包括测试条件、仪器设备和测量步骤。本文件适用于半导体发光二极管及其他相关光电器件的正向压降特性测试。
    Title:Test Methods for Semiconductor Light Emitting Devices - Forward Voltage Drop
    中国标准分类号:M63
    国际标准分类号:31.140

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    SJ 2355.2-1983 半导体发光器件测试方法.正向压降的测试方法
  • 拓展解读

    总结SJ 2355.2-1983主要内容

    SJ 2355.2-1983 是关于半导体发光器件正向压降测试方法的标准,规定了如何测量半导体发光器件在正向电流下的电压降。标准详细描述了测试环境、设备要求、测试步骤以及数据处理方法,确保测试结果的一致性和准确性。

    对比老版本的变化

    • 测试环境: 新版对温度和湿度的要求更加严格,以减少外界因素对测试结果的影响。
    • 设备精度: 对测试仪器的精度提出了更高的要求,确保测量数据的可靠性。
    • 测试步骤: 增加了更多详细的步骤说明,特别是对于不同类型的半导体发光器件,提供了更具体的指导。
    • 数据处理: 引入了新的数据分析方法,提高了数据处理的科学性和准确性。
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