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资源简介
摘要：本文件规定了3DG113型NPN硅外延平面超高频小功率三极管的技术要求、测试方法及质量评定程序。本文件适用于3DG113型NPN硅外延平面超高频小功率三极管的设计、生产和验收。
Title：Specification for 3DG113 Type NPN Silicon Epitaxial Planar Ultra High Frequency Low Power Transistor
中国标准分类号：M25
国际标准分类号：31.080 -
封面预览
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拓展解读
主要内容
SJ 2274-1983 标准规定了3DG113型NPN硅外延平面超高频小功率三极管的技术要求和测试方法。该标准适用于制造和检验此类三极管，确保其性能符合特定的电气参数和物理特性。
对比老版本的变化
- 材料改进: 新版本采用了更先进的硅外延平面工艺，提高了三极管的高频性能和稳定性。
- 电气参数优化: 对电流增益、截止频率等关键指标进行了调整，以适应现代电子设备的需求。
- 可靠性提升: 增加了老化测试的要求，确保产品在长时间使用中的可靠性。
- 环境适应性增强: 扩展了工作温度范围，使三极管能够在更广泛的环境中稳定运行。
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