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摘要:本文件规定了3DG72型NPN硅外延平面超高频小功率三极管的技术要求、测试方法及质量评定程序。本文件适用于3DG72型NPN硅外延平面超高频小功率三极管的设计、生产和检验。
Title:Specification for 3DG72 Type NPN Silicon Epitaxial Planar Ultra High Frequency Low Power Transistor
中国标准分类号:M63
国际标准分类号:31.080.01
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拓展解读
SJ 2278-1983 3DG72型NPN硅外延平面超高频小功率三极管是一种经典的半导体器件,广泛应用于电子设备中。它具有高频响应快、功耗低、结构紧凑等特点,因此在通信、雷达、卫星等领域有着重要的应用价值。
3DG72型三极管采用NPN硅外延平面工艺制造,其核心参数包括:fT(特征频率)高达数百兆赫兹,这使得它能够处理超高频信号;集电极最大电流为数十毫安,适合小功率应用场景;工作电压范围为5V至15V,适应多种电路设计需求。此外,该三极管还具有良好的热稳定性,能够在较宽的温度范围内保持稳定的性能表现。
3DG72型三极管因其优异的性能,被广泛应用于多个领域。以下是几个典型的例子:
3DG72型三极管的生产过程严格遵循SJ 2278-1983标准,确保了产品的质量和一致性。以下是生产过程中的关键环节:
随着电子技术的不断发展,3DG72型三极管的应用领域也在不断扩大。未来,该类型三极管有望在以下方面取得突破:
总之,SJ 2278-1983 3DG72型NPN硅外延平面超高频小功率三极管以其卓越的性能和广泛的应用场景,已经成为电子行业不可或缺的重要组成部分。随着技术的不断进步,相信它将在未来的科技发展中继续发挥重要作用。