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资源简介
摘要：本文件规定了半导体光敏三极管集电极-发射极反向击穿电压的测试方法。本文件适用于半导体光敏三极管的相关性能检测和质量评估。
Title：Test Method for Collector-Emitter Reverse Breakdown Voltage of Semiconductor Phototransistors
中国标准分类号：M32
国际标准分类号：17.220.20 -
封面预览
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拓展解读
主要内容
SJ 2214.6-1982 是关于半导体光敏三极管集电极-发射极反向击穿电压测试方法的标准。该标准详细规定了如何测量光敏三极管在反向偏置条件下的击穿电压，以确保器件的可靠性和一致性。
对比老版本的变化
- 测试环境： 新版本对测试环境的要求更加严格，增加了温度控制的具体范围和精度要求。
- 设备更新： 引入了更先进的测试仪器，提高了测量的准确性和重复性。
- 操作步骤： 对测试步骤进行了优化，减少了人为误差的可能性，并增加了详细的校准流程。
- 安全措施： 增加了更多的安全注意事项，特别是在高电压测试时的操作规范。
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