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  • SJ 2137-1982 硅稳流二极管测试方法.总则

    SJ 2137-1982 硅稳流二极管测试方法.总则
    硅稳流二极管测试方法总则半导体器件电气性能
    19 浏览2025-06-07 更新pdf0.08MB 未评分
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  • 资源简介

    摘要:本文件规定了硅稳流二极管测试的基本原则、测试条件、测试项目及测试方法的通用要求。本文件适用于硅稳流二极管的性能检测与质量评估。
    Title:Test Methods for Silicon Constant-Current Diodes - General Principles
    中国标准分类号:M61
    国际标准分类号:31.080

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    SJ 2137-1982 硅稳流二极管测试方法.总则
  • 拓展解读

    SJ 2137-1982《硅稳流二极管测试方法 总则》内容总结

    该标准规定了硅稳流二极管测试的基本原则和通用要求,适用于硅稳流二极管的性能评估。

    • 测试环境: 明确了测试时所需的温度、湿度等环境条件。
    • 测试设备: 列出了用于测试的主要仪器和设备及其精度要求。
    • 测试项目: 包括直流特性、交流特性以及特殊参数的测试方法。
    • 数据处理: 提供了测试结果的数据记录和处理方式。

    与老版本的变化对比

    相比老版本,SJ 2137-1982在以下几个方面进行了更新和改进:

    • 测试环境要求: 新版对环境条件的要求更加严格,增加了对电磁干扰的防护措施。
    • 测试设备精度: 对测试设备的精度提出了更高的要求,确保测量结果的准确性。
    • 新增测试项目: 增加了对高频特性的测试,以适应现代电子技术的发展需求。
    • 数据处理方法: 数据处理部分引入了更先进的统计分析方法,提高了结果的可靠性。
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