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  • SJ 206426-1998 半导体光电模块GH83型光耦合器详细规范

    SJ 206426-1998 半导体光电模块GH83型光耦合器详细规范
    半导体光电模块GH83型光耦合器详细规范
    16 浏览2025-06-07 更新pdf0.28MB 未评分
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    摘要:本文件规定了GH83型光耦合器的详细技术要求、性能指标、测试方法及质量保证。本文件适用于GH83型光耦合器的设计、生产和检验。
    Title:Semiconductor Optoelectronic Module GH83 Type Optocoupler Detailed Specification
    中国标准分类号:M52
    国际标准分类号:31.140

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    SJ 206426-1998 半导体光电模块GH83型光耦合器详细规范
  • 拓展解读

    概述

    SJ 206426-1998 是关于半导体光电模块 GH83 型光耦合器的详细规范,用于指导生产和检测该类型光耦合器的技术要求和测试方法。

    主要内容

    • 适用范围:规定了 GH83 型光耦合器的技术参数、性能指标及测试条件。
    • 结构与材料:
      • 采用半导体材料作为核心元件。
      • 外壳材料需满足耐高温、高绝缘的要求。
    • 电气特性:
      • 输入电流范围:5mA 至 20mA。
      • 输出电压范围:5V 至 30V。
    • 环境适应性:
      • 工作温度范围:-40℃ 至 +85℃。
      • 湿度范围:≤95%(无凝露)。
    • 测试方法:
      • 包括外观检查、电气性能测试、环境适应性测试等。
      • 测试设备需符合相关标准。

    与老版本的变化

    • 技术参数更新:输入电流范围从 3mA 至 15mA 扩展为 5mA 至 20mA。
    • 环境适应性增强:工作温度范围从 -20℃ 至 +70℃ 扩展至 -40℃ 至 +85℃。
    • 材料改进:外壳材料增加了对高湿环境的适应性要求。
    • 测试方法优化:新增了高湿度条件下的测试项目。
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