-
资源简介
摘要：本文件规定了3DG210型NPN硅超高频低噪声差分对晶体管的技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于3DG210型NPN硅超高频低噪声差分对晶体管的设计、生产和验收。
Title：Semiconductor Discrete Devices - 3DG210 Type NPN Silicon Ultra-High Frequency Low Noise Differential Pair Transistor - Detailed Specifications
中国标准分类号：M42
国际标准分类号：31.080.01 -
封面预览
-
拓展解读
总结SJ 20062-1992主要内容
SJ 20062-1992详细规定了3DG210型NPN硅超高频低噪声差分对晶体管的技术要求和测试方法。该标准涵盖了晶体管的电气特性、机械结构以及性能参数，适用于制造和检验此类晶体管。
- 电气特性：包括电流增益、截止频率、噪声系数等关键指标。
- 机械结构：定义了晶体管的外形尺寸、引脚排列及封装材料。
- 测试方法：提供了详细的测试条件和测量步骤，确保产品的一致性和可靠性。
对比老版本的变化
与老版本相比，SJ 20062-1992在以下几个方面进行了更新和改进：
- 电气性能提升：提高了截止频率和降低了噪声系数，以适应更高性能的应用需求。
- 增强可靠性：增加了老化测试的要求，确保长期使用的稳定性。
- 优化制造工艺：调整了部分生产工艺参数，以提高生产效率和一致性。
- 扩展适用范围：新增了一些特殊环境下的测试条件，如高温高湿环境。
-
下载说明预览图若存在模糊、缺失、乱码、空白等现象，仅为图片呈现问题，不影响文档的下载及阅读体验。 当文档总页数显著少于常规篇幅时，建议审慎下载。 资源简介仅为单方陈述，其信息维度可能存在局限，供参考时需结合实际情况综合研判。 如遇下载中断、文件损坏或链接失效，可提交错误报告，客服将予以及时处理。