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资源简介
摘要：本文件规定了3DK102型NPN硅小功率开关晶体管的术语、定义、技术要求、测试方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于3DK102型NPN硅小功率开关晶体管的设计、生产和验收。
Title：Specification for 3DK102 Type NPN Silicon Low Power Switching Transistor
中国标准分类号：M43
国际标准分类号：31.080.20 -
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拓展解读
半导体分立器件3DK102型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
以下是关于“SJ 20055-1992”标准中关于3DK102型NPN硅小功率开关晶体管的详细规范内容总结及与老版本的变化对比。
主要内容
- 基本参数
- 额定电压：50V
- 额定电流：1A
- 工作温度范围：-55℃至+150℃
- 封装形式：TO-126
- 电气特性
- 最大集电极-发射极击穿电压（VCEO）：50V
- 最大集电极-基极击穿电压（VCBO）：60V
- 最大发射极-基极击穿电压（VEBO）：5V
- 最大集电极功耗（PC）：625mW
- 应用领域
- 用于小功率开关电路
- 适用于高频信号处理
与老版本的变化
- 新增内容
- 增加了工作温度范围上限至+150℃
- 新增了封装形式的具体描述（TO-126）
- 修改内容
- 将额定电压从45V提升至50V
- 调整了最大集电极功耗，从600mW提高到625mW
- 删除内容
- 删除了对特定应用场景的限制说明
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