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摘要:本文件规定了3DG120型NPN硅高频小功率晶体管的术语、定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于3DG120型NPN硅高频小功率晶体管的设计、生产和验收。
Title:Semiconductor Discrete Devices - Specifications for 3DG120 NPN Silicon High Frequency Low Power Transistor
中国标准分类号:M65
国际标准分类号:31.080.20
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拓展解读
SJ 20060-1992 半导体分立器件.3DG120型NPN硅高频小功率晶体管.详细规范
SJ 20060-1992是中国国家标准,用于定义半导体分立器件中3DG120型NPN硅高频小功率晶体管的技术要求和测试方法。该标准旨在确保产品的质量和一致性。
3DG120是一种NPN硅高频小功率晶体管,具有以下特点:
3DG120晶体管广泛应用于以下领域:
在选择3DG120晶体管时,请注意以下几点:
以下是3DG120晶体管的一些典型参数(具体值需参考产品手册):
3DG120被称为高频小功率器件是因为它具有以下特性:
在使用3DG120晶体管时,请注意以下事项:
常见的3DG120晶体管替代品包括:
判断3DG120晶体管质量的方法包括:
尽管SJ 20060-1992是一个较早的标准,但它仍然是评估3DG120晶体管质量和性能的重要依据。对于新设计,建议结合最新技术和行业标准进行综合考量。