-
资源简介
摘要：本文件规定了3DG130型NPN硅高频小功率晶体管的GP级、GT级和GCT级的技术要求、测试方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于3DG130型NPN硅高频小功率晶体管的设计、生产和验收。
Title：Semiconductor Discrete Devices - 3DG130 Type NPN Silicon High Frequency Low Power Transistor - Specifications for GP, GT and GCT Grades
中国标准分类号：M62
国际标准分类号：31.080.01 -
封面预览
-
拓展解读
主要内容
该标准规定了半导体分立器件中GP、GT和GCT级3DG130型NPN硅高频小功率晶体管的详细技术规范。
对比与老版本的变化
- 性能提升: 新版本在高频性能上有了显著提升，适用于更高频率的应用场景。
- 可靠性增强: 对晶体管的可靠性测试要求更加严格，确保长期使用的稳定性。
- 材料改进: 使用了更先进的硅材料，提高了器件的整体性能和耐用性。
- 环境适应性: 增加了对极端温度条件下的工作能力测试，扩大了适用范围。
-
下载说明预览图若存在模糊、缺失、乱码、空白等现象，仅为图片呈现问题，不影响文档的下载及阅读体验。 当文档总页数显著少于常规篇幅时，建议审慎下载。 资源简介仅为单方陈述，其信息维度可能存在局限，供参考时需结合实际情况综合研判。 如遇下载中断、文件损坏或链接失效，可提交错误报告，客服将予以及时处理。