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资源简介
摘要：本文件规定了3DD264型、3DD265型、3DD266型NPN硅扩散台面低频大功率三极管的技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于3DD264型、3DD265型、3DD266型NPN硅扩散台面低频大功率三极管的设计、生产和验收。
Title：Specifications for 3DD264, 3DD265, 3DD266 NPN Silicon Diffused Planar Low-frequency High-power Transistors
中国标准分类号：M13
国际标准分类号：31.140 -
封面预览
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拓展解读
总结
SJ 1652-1980 标准定义了3DD264型、3DD265型、3DD266型三种NPN硅扩散台面低频大功率三极管的技术要求和性能指标。
对比与老版本的变化
- 材料改进: 使用更高纯度的硅材料，提高了器件的稳定性和可靠性。
- 工艺优化: 扩散工艺得到改进，降低了基区电阻，提升了电流增益。
- 性能提升: 集电极最大耗散功率提高，工作温度范围扩大至-55℃至+150℃。
- 测试标准更新: 引入更严格的电气参数测试方法，确保产品一致性。
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