资源简介
摘要:本文件规定了3DD257型、3DD258型NPN硅扩散台面低频大功率三极管的技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于3DD257型、3DD258型NPN硅扩散台面低频大功率三极管的设计、生产和验收。
Title:Specification for 3DD257 and 3DD258 Type NPN Silicon Diffused Planar Low Frequency High Power Transistors
中国标准分类号:M44
国际标准分类号:31.140
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拓展解读
SJ 1649-1980 3DD257型和3DD258型NPN硅扩散台面低频大功率三极管是电子技术领域中具有重要应用价值的器件。这类三极管以其卓越的性能和可靠性,在工业控制、通信设备及电力系统中得到了广泛应用。本文将对这两种三极管的技术特点、应用场景及其在现代电子工程中的意义进行深入探讨。
3DD257型和3DD258型三极管均采用先进的硅扩散工艺制造,具备以下显著技术特点:
这两种三极管因其独特的性能,在多个领域展现出明显的优势:
SJ 1649-1980 3DD257型和3DD258型NPN硅扩散台面低频大功率三极管凭借其出色的性能和广泛的应用前景,已成为电子工程领域的关键技术之一。未来,随着技术的不断进步,这些三极管将在更多领域发挥重要作用,推动相关行业的发展。
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