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资源简介
摘要：本文件规定了硅外延片的检测方法，包括外观、厚度、电阻率、掺杂浓度等关键参数的测量要求和步骤。本文件适用于硅外延片的质量控制与性能评估。
Title：Detection Methods for Silicon Epitaxial Wafers
中国标准分类号：L70
国际标准分类号：25.160 -
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拓展解读
总结 SJ 1550-1979 硅外延片检测方法
SJ 1550-1979 是一项关于硅外延片检测方法的标准，主要用于规范硅外延片的检测流程和技术要求。该标准详细规定了硅外延片的各项检测指标、检测方法以及检测环境的要求，确保硅外延片的质量符合相关技术标准。
- 检测指标：包括硅外延片的厚度、电阻率、表面质量、杂质含量等。
- 检测方法：涵盖了光学显微镜法、X射线衍射法、电学测试法等多种检测手段。
- 检测环境：对检测环境的温度、湿度、洁净度等提出了具体要求。
对比与老版本的变化
相比老版本，SJ 1550-1979 在以下几个方面进行了更新和改进：
- 新增检测项目：
- 增加了对硅外延片表面粗糙度的检测要求。
- 引入了对杂质分布均匀性的检测方法。
- 优化检测方法：
- 改进了光学显微镜法的操作步骤，提高了检测精度。
- 更新了X射线衍射法的设备参数，使其更适合现代检测需求。
- 强化环境控制：
- 提高了对检测环境洁净度的要求，以减少外界因素对检测结果的影响。
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