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    SJ 1550-1979 硅外延片检测方法
    硅外延片检测方法半导体外延层厚度均匀性
    20 浏览2025-06-07 更新pdf0.2MB 未评分
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    摘要:本文件规定了硅外延片的检测方法,包括外观、厚度、电阻率、掺杂浓度等关键参数的测量要求和步骤。本文件适用于硅外延片的质量控制与性能评估。
    Title:Detection Methods for Silicon Epitaxial Wafers
    中国标准分类号:L70
    国际标准分类号:25.160

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    SJ 1550-1979 硅外延片检测方法
  • 拓展解读

    总结 SJ 1550-1979 硅外延片检测方法

    SJ 1550-1979 是一项关于硅外延片检测方法的标准,主要用于规范硅外延片的检测流程和技术要求。该标准详细规定了硅外延片的各项检测指标、检测方法以及检测环境的要求,确保硅外延片的质量符合相关技术标准。

    • 检测指标:包括硅外延片的厚度、电阻率、表面质量、杂质含量等。
    • 检测方法:涵盖了光学显微镜法、X射线衍射法、电学测试法等多种检测手段。
    • 检测环境:对检测环境的温度、湿度、洁净度等提出了具体要求。

    对比与老版本的变化

    相比老版本,SJ 1550-1979 在以下几个方面进行了更新和改进:

    • 新增检测项目:
      • 增加了对硅外延片表面粗糙度的检测要求。
      • 引入了对杂质分布均匀性的检测方法。
    • 优化检测方法:
      • 改进了光学显微镜法的操作步骤,提高了检测精度。
      • 更新了X射线衍射法的设备参数,使其更适合现代检测需求。
    • 强化环境控制:
      • 提高了对检测环境洁净度的要求,以减少外界因素对检测结果的影响。
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