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摘要:本文件规定了电力半导体器件用钼圆片的尺寸、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于电力半导体器件中作为散热片或电极连接片的钼圆片。
Title:Molybdenum Discs for Power Semiconductor Devices
中国标准分类号:L80
国际标准分类号:29.040
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拓展解读
本文基于 JBT 9687.1-1999 标准,探讨了电力半导体器件用钼圆片的性能要求、制造工艺及其在现代电力电子领域中的重要性。钼圆片因其优异的导热性和耐高温特性,在电力电子器件中扮演着关键角色。本文将从材料特性、技术标准和应用前景三个方面进行详细分析。
随着全球能源需求的增长和可再生能源技术的发展,电力电子器件的应用范围不断扩大。作为电力电子器件的重要基板材料,钼圆片以其独特的物理和化学性质成为研究热点。本标准规定了钼圆片的技术要求,为相关产品的生产和质量控制提供了依据。
钼圆片的主要特性包括高熔点、低热膨胀系数以及良好的导电性和导热性。这些特性使其非常适合用于高温环境下的电力电子器件。根据 JBT 9687.1-1999 的规定,钼圆片需要满足以下技术指标:
钼圆片的制造过程涉及粉末冶金技术和精密加工工艺。以下是主要的生产工艺步骤:
钼圆片广泛应用于大功率整流器、逆变器和晶闸管等电力电子器件中。随着新能源汽车、轨道交通和智能电网的快速发展,对高性能电力电子器件的需求不断增加,这为钼圆片带来了广阔的市场前景。此外,随着新材料技术的进步,未来钼圆片可能与其他复合材料结合,进一步提升其性能。
综上所述,钼圆片作为一种高性能材料,在电力电子领域具有不可替代的地位。遵循 JBT 9687.1-1999 标准生产的钼圆片能够满足现代电力电子器件的严格要求。未来,通过技术创新和工艺优化,钼圆片将在更多领域发挥重要作用。