GBT 8760-2006 砷化镓单晶位错密度的测量方法

摘要：本文件规定了砷化镓单晶位错密度的测量方法，包括样品制备、腐蚀坑显示、显微镜观察和位错密度计算。本文件适用于砷化镓单晶材料的质量检测与评价。
Title：Measurement Method of Dislocation Density for Gallium Arsenide Single Crystal
中国标准分类号：H23
国际标准分类号：25.160

GBT 8760-2006主要内容

该标准规定了通过化学腐蚀法测量砷化镓单晶位错密度的方法。具体包括以下几个方面：

• 适用范围：适用于砷化镓单晶材料。
• 测试原理：利用化学腐蚀技术使位错在样品表面形成腐蚀坑，通过统计腐蚀坑的数量来确定位错密度。
• 实验步骤：详细描述了样品制备、腐蚀液选择、腐蚀条件控制以及腐蚀坑计数的具体操作流程。
• 结果计算：给出了位错密度的计算公式和单位要求。

与老版本的变化

GBT 8760-2006相较于老版本的主要变化如下：

• 优化了腐蚀液配方，提高了腐蚀效率和准确性。
• 增加了对腐蚀温度和时间的精确控制要求，以减少人为误差。
• 改进了腐蚀坑计数方法，提供了更清晰的图像处理建议。
• 更新了部分术语定义，使其更加符合现代科技语言规范。