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    GBT 8760-2006 砷化镓单晶位错密度的测量方法
    砷化镓单晶位错密度测量方法半导体材料
    13 浏览2025-06-08 更新pdf1.85MB 未评分
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    摘要:本文件规定了砷化镓单晶位错密度的测量方法,包括样品制备、腐蚀坑显示、显微镜观察和位错密度计算。本文件适用于砷化镓单晶材料的质量检测与评价。
    Title:Measurement Method of Dislocation Density for Gallium Arsenide Single Crystal
    中国标准分类号:H23
    国际标准分类号:25.160

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    GBT 8760-2006 砷化镓单晶位错密度的测量方法
  • 拓展解读

    GBT 8760-2006主要内容

    该标准规定了通过化学腐蚀法测量砷化镓单晶位错密度的方法。具体包括以下几个方面:

    • 适用范围:适用于砷化镓单晶材料。
    • 测试原理:利用化学腐蚀技术使位错在样品表面形成腐蚀坑,通过统计腐蚀坑的数量来确定位错密度。
    • 实验步骤:详细描述了样品制备、腐蚀液选择、腐蚀条件控制以及腐蚀坑计数的具体操作流程。
    • 结果计算:给出了位错密度的计算公式和单位要求。

    与老版本的变化

    GBT 8760-2006相较于老版本的主要变化如下:

    • 优化了腐蚀液配方,提高了腐蚀效率和准确性。
    • 增加了对腐蚀温度和时间的精确控制要求,以减少人为误差。
    • 改进了腐蚀坑计数方法,提供了更清晰的图像处理建议。
    • 更新了部分术语定义,使其更加符合现代科技语言规范。
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