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摘要:本文件规定了锗单晶的技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于以区熔法或直拉法制成的锗单晶,主要用于半导体器件和其他电子应用领域。
Title:Germanium Single Crystal
中国标准分类号:H21
国际标准分类号:25.160
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拓展解读
GBT 5238-1995 是中国国家标准,用于规范锗单晶的生产与质量要求。以下是关于该标准的一些常见问题及其解答。
GBT 5238-1995 是针对锗单晶材料的技术规范,主要用于指导锗单晶的生产和检测。它规定了锗单晶的化学成分、物理性能、晶体结构以及表面质量等关键指标,确保锗单晶在半导体、红外光学等领域具有良好的应用性能。
锗单晶广泛应用于以下领域:
GBT 5238-1995 提供了详细的检测方法和标准,包括但不限于:
这些检测方法旨在确保锗单晶符合特定的应用需求。
锗单晶具有金刚石型晶体结构,属于立方晶系,其晶格常数约为5.66 Å。这种结构使得锗单晶具有较高的电子迁移率和导电性,适合用作半导体材料。
氧和碳是锗单晶中常见的杂质元素,它们会对材料性能产生重要影响:
因此,GBT 5238-1995 对这两种杂质的含量有严格限制。
判断锗单晶是否符合标准需要进行以下步骤:
只有满足以上所有条件的锗单晶才能被认定为合格产品。
锗单晶的生产通常采用提拉法(Czochralski法),其主要步骤包括:
GBT 5238-1995 主要适用于高纯度的锗单晶,特别是用于半导体和光学领域的锗单晶。对于某些特殊用途的锗单晶(如掺杂型锗单晶),可能需要参考其他相关标准。
锗单晶的电阻率是衡量其电学性能的重要参数之一。高电阻率的锗单晶更适合用于制造高性能的半导体器件,而低电阻率的锗单晶则更适用于某些特殊用途(如热敏电阻)。GBT 5238-1995 对不同用途的锗单晶设定了不同的电阻率要求。
锗单晶在运输和存储时需要注意以下几点:
这些措施可以有效延长锗单晶的使用寿命并保证其性能稳定。