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    GBT 5238-1995 锗单晶
    锗单晶半导体材料晶体生长物理性能化学成分
    16 浏览2025-06-08 更新pdf0.28MB 未评分
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    摘要:本文件规定了锗单晶的技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于以区熔法或直拉法制成的锗单晶,主要用于半导体器件和其他电子应用领域。
    Title:Germanium Single Crystal
    中国标准分类号:H21
    国际标准分类号:25.160

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    GBT 5238-1995 锗单晶
  • 拓展解读

    GBT 5238-1995 锗单晶常见问题解答

    GBT 5238-1995 是中国国家标准,用于规范锗单晶的生产与质量要求。以下是关于该标准的一些常见问题及其解答。

    1. GBT 5238-1995 的主要用途是什么?

    GBT 5238-1995 是针对锗单晶材料的技术规范,主要用于指导锗单晶的生产和检测。它规定了锗单晶的化学成分、物理性能、晶体结构以及表面质量等关键指标,确保锗单晶在半导体、红外光学等领域具有良好的应用性能。

    2. 锗单晶的主要应用领域有哪些?

    锗单晶广泛应用于以下领域:

    • 半导体器件制造(如二极管、三极管、集成电路等)
    • 红外光学元件(如镜头、窗口片等)
    • 太阳能电池
    • 光纤通信
    • 核辐射探测器

    3. 锗单晶的质量检测依据是什么?

    GBT 5238-1995 提供了详细的检测方法和标准,包括但不限于:

    • 电阻率测量
    • 氧含量分析
    • 碳含量分析
    • X射线衍射测试
    • 表面缺陷检查

    这些检测方法旨在确保锗单晶符合特定的应用需求。

    4. 锗单晶的晶体结构有哪些特点?

    锗单晶具有金刚石型晶体结构,属于立方晶系,其晶格常数约为5.66 Å。这种结构使得锗单晶具有较高的电子迁移率和导电性,适合用作半导体材料。

    5. 锗单晶中的氧和碳含量对性能有何影响?

    氧和碳是锗单晶中常见的杂质元素,它们会对材料性能产生重要影响:

    • 氧含量过高会导致材料的电阻率下降,并可能引起热膨胀系数的变化。
    • 碳含量过高会降低材料的纯度,影响其光电性能。

    因此,GBT 5238-1995 对这两种杂质的含量有严格限制。

    6. 如何判断锗单晶是否符合 GBT 5238-1995 标准?

    判断锗单晶是否符合标准需要进行以下步骤:

    • 检查材料的化学成分是否符合标准规定的范围。
    • 通过电阻率测试验证材料的电学性能。
    • 使用X射线衍射仪确认晶体结构。
    • 检查表面是否有裂纹、划痕等缺陷。

    只有满足以上所有条件的锗单晶才能被认定为合格产品。

    7. 锗单晶的生产过程有哪些关键步骤?

    锗单晶的生产通常采用提拉法(Czochralski法),其主要步骤包括:

    • 原料准备:选择高纯度的锗材料。
    • 熔化:将原料加热至熔融状态。
    • 提拉:通过旋转和缓慢提升的方式生长单晶。
    • 退火:对生长后的单晶进行热处理以消除应力。
    • 切割与抛光:将单晶加工成所需尺寸并进行表面处理。

    8. GBT 5238-1995 是否适用于所有类型的锗单晶?

    GBT 5238-1995 主要适用于高纯度的锗单晶,特别是用于半导体和光学领域的锗单晶。对于某些特殊用途的锗单晶(如掺杂型锗单晶),可能需要参考其他相关标准。

    9. 锗单晶的电阻率如何影响其性能?

    锗单晶的电阻率是衡量其电学性能的重要参数之一。高电阻率的锗单晶更适合用于制造高性能的半导体器件,而低电阻率的锗单晶则更适用于某些特殊用途(如热敏电阻)。GBT 5238-1995 对不同用途的锗单晶设定了不同的电阻率要求。

    10. 如何避免锗单晶在运输和存储过程中受损?

    锗单晶在运输和存储时需要注意以下几点:

    • 避免受到机械冲击或振动。
    • 防止接触酸碱性物质或其他腐蚀性介质。
    • 保持环境干燥,避免湿气侵入。
    • 使用专用包装材料保护表面完整性。

    这些措施可以有效延长锗单晶的使用寿命并保证其性能稳定。

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