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摘要:本文件规定了硅多晶中基磷含量的检验方法,包括试样制备、测定步骤及结果计算。本文件适用于采用气氛区熔法测定硅多晶中基磷含量的分析。
Title: Inspection Method for Phosphorus in Polycrystalline Silicon by Atmosphere Zone Melting
中国标准分类号:H53
国际标准分类号:71.040.50
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拓展解读
以下是关于GB/T 4059-2018标准中硅多晶气氛区熔基磷检验方法的一些常见问题及其解答。
回答: GBT 4059-2018 标准主要用于规范硅多晶材料中磷含量的测定方法,适用于通过气氛区熔法生产的硅多晶材料。该标准提供了详细的检测步骤和要求,以确保磷含量的准确性和一致性。
回答: 气氛区熔法是一种能够有效减少杂质污染并提高样品纯度的检测技术。通过控制气氛环境(如惰性气体或还原性气体),可以避免磷元素在高温下的挥发损失,从而保证检测结果的准确性。
回答: 检测仪器的选择需根据具体需求确定。推荐使用具有高灵敏度和稳定性的光谱分析仪或电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)。这些仪器能够精确测量磷元素的浓度,并满足GB/T 4059-2018标准的要求。
回答: 在检验前,样品需要经过以下预处理:
回答: 检测结果需与GB/T 4059-2018标准中的限值进行对比。如果检测值在标准规定的范围内,则视为合格;否则需重新检测或调整生产工艺。
回答: 检测过程中可能存在的误差包括:
回答: 若检测结果超出标准限值,建议采取以下措施:
回答: 该标准主要针对气氛区熔法制备的硅多晶材料,对于其他类型的硅材料(如直拉法或铸造法生产的硅单晶),需参考相应的国家标准或行业标准。