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摘要:本文件规定了硅多晶中基硼含量的真空区熔检验方法,包括原理、试剂与材料、仪器设备、试验步骤、结果计算和精密度要求。本文件适用于硅多晶材料中基硼含量的测定。
Title:Inspection Method for Basal Boron in Polycrystalline Silicon by Vacuum Zone Melting
中国标准分类号:H22
国际标准分类号:29.045
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拓展解读
GBT 4060-2018 是一项重要的国家标准,用于规范硅多晶中硼含量的检测方法。以下是关于此标准的一些常见问题及其解答。
GBT 4060-2018 标准的主要用途是提供一种可靠的方法来检测硅多晶中的硼含量。硼含量的准确测定对于半导体材料的质量控制至关重要,因为硼会影响半导体器件的电学性能。
真空区熔法通过在真空环境中加热并移动一个局部区域(称为“熔区”),使样品中的杂质成分重新分布。由于硼元素的挥发性较低,这种方法可以有效地分离硼与其他杂质,从而实现精确测量。
硼是一种受主杂质,当其浓度过高时,会增加半导体材料的导电性,导致器件的阈值电压降低,甚至可能引发漏电流问题,严重影响器件的性能和可靠性。
GBT 4060-2018 主要适用于高纯度硅多晶材料的硼含量检测。对于某些特殊用途或低纯度材料,可能需要结合其他检测方法进行补充验证。
GBT 4060-2018 是一个动态的标准,随着技术的进步和新材料的发展,可能会在未来进行修订或更新。因此,建议定期查阅最新版本以确保检测方法的适用性。
目前,国际上也有类似的检测方法,如 ASTM 或 IEC 标准,但具体细节可能有所不同。在国际贸易中,需根据合同要求选择合适的标准。