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资源简介
摘要：本文件规定了制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备的术语和定义、设备组成、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于以氢化物气相外延法制备氮化物半导体材料的设备。
Title：Hydride vapor phase epitaxy equipment for preparation of nitride semiconductor materials
中国标准分类号：J72
国际标准分类号：25.160 -
封面预览
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拓展解读
GBT 36646-2018 主要内容
GBT 36646-2018《制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备》规定了用于制备氮化物半导体材料的氢化物气相外延（HVPE）设备的技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存等内容。
与老版本的变化
- 技术要求：新版本对设备的结构设计、材料选用以及关键部件的性能提出了更高的要求，特别是对设备的稳定性和精确性进行了优化。
- 试验方法：增加了部分新的测试项目，例如对设备运行环境适应性的评估，同时细化了一些现有测试项目的操作步骤。
- 检验规则：强化了设备出厂前的检验流程，新增了多项强制性检查项，并明确了不合格品的处理方式。
- 标志与包装：在标志方面，新版本要求更加详细地标注设备的安全信息和操作注意事项；在包装上，加强了防震、防潮措施以确保运输过程中的安全性。
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