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资源简介
摘要：本文件规定了高压MOSFET用200mm硅外延片的技术要求、测试方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存等内容。本文件适用于高压MOSFET用200mm硅外延片的生产、检测与验收。
Title：High Voltage MOSFET 200mm Silicon Epitaxial Wafer - Specifications and Test Methods
中国标准分类号：L80
国际标准分类号：47.040 -
封面预览
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拓展解读
在TZZB 2833-2022《高压MOSFET用200mm硅外延片》标准中，有一项重要的技术变化是关于外延层电阻率的测试方法。相较于旧版标准，新版标准对外延层电阻率的测量提出了更精确的要求。
在实际应用过程中，如何正确使用这一规定显得尤为重要。首先，在准备样品时，需要确保样品表面清洁无污染，并且厚度均匀。其次，在测量过程中，应严格按照标准规定的参数设置仪器，如温度、电压等条件。此外，还应注意环境因素对测量结果的影响，比如湿度和电磁干扰等。
通过严格遵守这些操作步骤，可以有效提高测量数据的准确性，从而为高压MOSFET器件的设计与制造提供可靠的数据支持。这不仅有助于提升产品的性能稳定性，还能降低生产成本，增强市场竞争力。
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