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资源简介
摘要：本文件规定了X射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)深度剖析中离子束对准的方法，以及束流或束流密度的测量方法。本文件适用于使用离子溅射进行深度剖析的表面化学分析领域。
Title：Surface chemical analysis - Depth profiling - Methods for ion beam alignment and measurement of beam current or current density in AES and XPS depth profiling
中国标准分类号：J74
国际标准分类号：71.040.50 -
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拓展解读
GBT 34326-2017主要内容
该标准规定了在AES（Auger Electron Spectroscopy）和XPS（X-ray Photoelectron Spectroscopy）深度剖析中，用于离子束对准的方法以及束流或束流密度的测量方法。
与老版本的变化
- 更精确的离子束对准方法：新版本引入了更高精度的对准技术，确保离子束能够更加准确地聚焦于样品表面。
- 改进的束流测量技术：增加了新的束流密度测量方法，提高了测量结果的可靠性和重复性。
- 扩展的应用范围：相较于旧版本，新标准适用于更多类型的材料和更复杂的实验环境。
- 增强的操作指南：提供了更为详细的步骤说明和操作建议，便于用户实际操作。
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GBT 34326-2017 表面化学分析 深度剖析 AES和XPS深度剖析时离子束对准方法及其束流或束流密度测量方法
6 浏览2025-06-09 上传pdf0.96MB
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