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摘要:本文件规定了用椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法,包括测量原理、仪器要求、样品制备、测量步骤和数据处理。本文件适用于半导体材料及器件制造过程中对二氧化硅薄膜厚度的精确测量。
Title:Method for Measuring the Thickness of Silicon Dioxide Thin Layer on Silicon Surface by Ellipsometer
中国标准分类号:J72
国际标准分类号:25.160
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拓展解读
GBT 31225-2014 是中国国家标准化管理委员会发布的关于椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法标准。这一标准为半导体制造、光学器件加工以及材料科学领域提供了精确测量二氧化硅薄膜厚度的技术依据。通过椭圆偏振技术,可以实现对薄膜厚度的非接触式、高精度测量,这对于保证产品质量和工艺稳定性具有重要意义。
椭圆偏振技术是一种基于光的偏振态变化来分析材料特性的方法。当一束线偏振光入射到样品表面时,其偏振态会因薄膜的折射率、厚度等因素而发生变化。通过检测反射光的偏振状态,可以反推出薄膜的厚度和其他光学参数。这种方法具有高灵敏度和高分辨率的特点,特别适合用于超薄薄膜的测量。
该标准广泛应用于以下几个领域:
某知名半导体制造商曾使用椭圆偏振仪对其生产线上的二氧化硅薄膜厚度进行测量。根据 GBT 31225-2014 的标准,他们对不同批次的产品进行了测试,发现某批次产品的薄膜厚度偏差超过允许范围。通过调整工艺参数并重新测量,最终将薄膜厚度控制在±1nm范围内,显著提升了产品良品率。
随着科技的发展,椭圆偏振技术将进一步提升测量精度和速度。未来的研究方向可能包括开发更先进的算法模型,以及结合人工智能技术优化测量流程。这些进步将使 GBT 31225-2014 在更多高科技领域的应用成为可能。