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  • GBT 26068-2010 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法

    GBT 26068-2010 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法
    硅片载流子复合寿命无接触微波反射光电导衰减测试方法
    13 浏览2025-06-09 更新pdf0.68MB 未评分
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    摘要:本文件规定了硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法的原理、设备要求、样品制备、测试步骤和数据处理。本文件适用于单晶硅和多晶硅材料载流子复合寿命的测量。
    Title:Test Method for Contactless Microwave Reflectance Photothermal Conductivity Decay of Carrier Recombination Lifetime in Silicon Wafers
    中国标准分类号:J72
    国际标准分类号:25.160

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    GBT 26068-2010 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法
  • 拓展解读

    GBT 26068-2010 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法

    什么是 GBT 26068-2010 标准?

    GBT 26068-2010 是中国国家标准化管理委员会发布的一项标准,用于测定硅片中载流子复合寿命的方法。该方法通过无接触的微波反射光电导衰减技术(简称微波光电导衰减法,简称μ-PCD)实现对硅材料中载流子复合寿命的精确测量。

    为什么需要测定硅片的载流子复合寿命?

    载流子复合寿命是衡量半导体材料质量的重要参数之一,它直接影响光伏器件和电子器件的性能。较长的载流子复合寿命意味着更高的光电转换效率和更长的器件使用寿命,因此测定这一参数对于材料研发和产品质量控制至关重要。

    无接触微波反射光电导衰减法的工作原理是什么?

    该方法的核心原理如下:

    • 通过激光脉冲激发硅片中的载流子。
    • 利用微波反射技术检测激发后硅片的光电导变化。
    • 根据光电导衰减曲线计算载流子复合寿命。

    这种方法具有无接触、快速、非破坏性等优点。

    微波光电导衰减法与传统的接触式方法相比有哪些优势?

    • 无接触性:无需在样品表面安装电极,避免了对样品的物理损伤。
    • 高精度:能够准确测量不同深度的载流子复合寿命。
    • 快速性:测试过程迅速,适合大批量样品的检测。
    • 适用范围广:适用于多种尺寸和形状的硅片。

    如何校准微波光电导衰减测试仪?

    为了确保测试结果的准确性,需要定期进行仪器校准。具体步骤包括:

    • 使用已知寿命的标准硅片进行测试。
    • 调整仪器参数以匹配标准值。
    • 记录校准数据并保存校准曲线。

    校准频率通常为每月一次或根据设备使用情况调整。

    测试过程中可能遇到哪些误差来源?

    • 激光能量不稳定导致信号波动。
    • 微波探头位置偏差影响测试精度。
    • 样品表面污染或不平整影响光吸收效率。
    • 环境温度变化对测试结果的影响。

    为减少误差,需严格控制测试条件并定期维护设备。

    GBT 26068-2010 标准是否适用于所有类型的硅片?

    该标准主要适用于单晶硅和多晶硅片的载流子复合寿命测试。对于某些特殊类型的硅片(如掺杂浓度极高或极低的材料),可能需要对测试方法进行适当调整。

    如何判断测试结果是否可靠?

    可以通过以下方式验证测试结果的可靠性:

    • 重复测试多次,观察结果的一致性。
    • 与其他实验室采用相同方法的结果进行对比。
    • 使用其他独立方法验证测试结果。

    如果多次测试结果一致,则可以认为测试结果可靠。

    GBT 26068-2010 是否有国际对应标准?

    目前,国际上没有完全等同于 GBT 26068-2010 的标准,但类似的技术方法可以在 IEC 60904-9 和 ASTM F1217 中找到。这些标准也涉及太阳能电池相关测试,但具体细节可能有所不同。

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