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摘要:本文件规定了高导热氮化硅陶瓷基片的术语和定义、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于以氮化硅为主要原料制备的高导热陶瓷基片,主要用于电子封装领域。
Title:High Thermal Conductive Silicon Nitride Ceramic Substrates
中国标准分类号:Y41
国际标准分类号:25.220
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拓展解读
在TSCS 000024-2023《高导热氮化硅陶瓷基片》中,有一项重要的变化是关于基片厚度公差的规定。相较于旧版标准,新版标准对厚度公差的要求更为严格,从原来的±10%调整为±5%,这一改变直接影响了产品的精度要求和生产制造工艺。
以厚度公差为例,其应用方法可以从以下几个方面进行深入分析:
首先,在实际生产过程中,为了达到±5%的厚度公差要求,需要对原材料的选择、成型工艺以及烧结工艺进行严格的控制。例如,选用粒度分布均匀的原料可以提高坯体致密度的一致性,从而减少因材料本身差异导致的厚度偏差。同时,采用精密的成型设备和技术,如流延成型或干压成型,能够更好地保证初始坯体的厚度一致性。此外,在烧结环节,通过精确控制温度曲线和气氛条件,避免因收缩不均引起的厚度误差,也是确保最终产品符合标准的关键步骤。
其次,对于检测手段而言,除了传统的机械测量工具外,还可以引入光学测量仪器或者三维扫描技术来实现非接触式的高精度测量,这对于快速准确地评估厚度是否达标具有重要意义。
最后,在质量管理体系中建立完善的反馈机制同样不可或缺。一旦发现产品厚度超出允许范围,应立即查找原因并采取纠正措施,防止类似问题再次发生。这不仅有助于提升产品质量,还能增强客户信心,为企业赢得良好声誉。
综上所述,TSCS 000024-2023中关于厚度公差由±10%收紧至±5%的规定,是对现有技术水平提出更高挑战的同时也为行业发展指明了方向。只有不断优化生产工艺流程,并借助先进的检测技术和有效的质量管理手段,才能满足日益增长的市场需求,推动高导热氮化硅陶瓷基片行业的持续健康发展。