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    GBT 24582-2023 多晶硅表面金属杂质含量测定 酸浸取-电感耦合等离子体质谱法
    多晶硅金属杂质酸浸取电感耦合等离子体质谱法含量测定
    21 浏览2025-06-09 更新pdf0.38MB 未评分
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    摘要:本文件规定了多晶硅表面金属杂质含量测定的酸浸取-电感耦合等离子体质谱法的原理、试剂和材料、仪器设备、样品处理、试验步骤、结果计算和精密度。本文件适用于多晶硅表面金属杂质含量的测定,包括但不限于铝、铁、钙、镁、钠、钾等元素的测定。
    Title:Determination of metallic impurities content on the surface of polycrystalline silicon - Acid leaching-inductively coupled plasma mass spectrometry
    中国标准分类号:J80
    国际标准分类号:71.040.50

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    GBT 24582-2023 多晶硅表面金属杂质含量测定  酸浸取-电感耦合等离子体质谱法
  • 拓展解读

    GBT 24582-2023 多晶硅表面金属杂质含量测定 酸浸取-电感耦合等离子体质谱法 常见问题解答

    1. 什么是 GBT 24582-2023 标准?

    GBT 24582-2023 是中国国家标准,规定了通过酸浸取-电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)测定多晶硅表面金属杂质含量的方法。该标准适用于半导体行业,用于确保多晶硅材料的质量符合要求。

    2. 为什么需要测定多晶硅表面的金属杂质含量?

    • 多晶硅是半导体制造的重要原材料,表面金属杂质会直接影响器件性能和可靠性。
    • 金属杂质可能导致漏电流增加、击穿电压下降等问题,从而影响芯片的稳定性和寿命。

    3. GBT 24582-2023 方法的核心原理是什么?

    该方法通过将多晶硅样品用酸溶液处理,使表面金属杂质溶解进入溶液中,然后利用电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)对溶液中的金属元素进行定量分析。这种方法具有高灵敏度和高准确性。

    4. 使用该方法时需要注意哪些关键步骤?

    • 样品制备:确保多晶硅表面清洁,避免污染。
    • 酸浸取条件:选择合适的酸种类(如硝酸、氢氟酸)和浓度,控制温度和时间。
    • 仪器校准:使用标准溶液对ICP-MS进行校准,确保测量结果准确。
    • 背景扣除:有效扣除背景干扰,提高检测精度。

    5. 该方法的适用范围有哪些限制?

    • 仅适用于多晶硅表面金属杂质的测定,不适用于整体材料或深层杂质。
    • 对于某些高浓度金属杂质,可能需要稀释样品以避免仪器过载。

    6. 如何判断测定结果是否合格?

    根据GB/T 24582-2023标准的要求,不同应用领域对金属杂质含量有具体限值。例如,半导体级多晶硅通常要求金属杂质含量低于ppb级别。实际结果需与标准限值对比,判断是否达标。

    7. 该方法是否存在常见的误解?

    • 误解一:认为酸浸取可以完全去除所有金属杂质。实际上,某些金属可能形成难溶化合物,无法完全提取。
    • 误解二:认为ICP-MS可以直接测定未经处理的多晶硅样品。实际上,样品必须经过酸浸取才能进入仪器分析。

    8. 如何验证该方法的可靠性?

    • 使用标准参考物质(SRM)进行测试,比较实验结果与已知值。
    • 重复多次实验,计算结果的精密度和准确度。
    • 与其他分析方法(如ICP-OES)进行比对验证。

    9. 如果实验室没有ICP-MS设备怎么办?

    如果没有ICP-MS设备,可以考虑使用其他替代方法,如电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-OES),但这些方法的灵敏度和精确度可能略低于ICP-MS。

    10. 是否存在国际上类似的测试方法?

    国际上也有类似的标准,如SEMI M1要求和ISO相关标准,但具体操作细节可能有所不同。在国际贸易中,需根据客户或合同要求选择合适的标准。

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