资源简介
摘要:本文件规定了用红外吸收法测量硅晶体中间隙氧含量的方法、试验条件和结果计算。本文件适用于直拉法生长的硅单晶片中间隙氧含量的测定,氧含量范围通常为1×10^17 atoms/cm³至5×10^18 atoms/cm³。
Title:Measurement method of interstitial oxygen content in silicon crystal by infrared absorption
中国标准分类号:H22
国际标准分类号:25.160.30
封面预览
拓展解读
什么是 GBT 1557-2006 标准?
GBT 1557-2006 是中国国家标准化管理委员会发布的标准,用于测定硅晶体中通过红外吸收法测量的间隙氧含量。此标准适用于半导体工业中对硅材料质量的控制。
为什么需要测量硅晶体中的间隙氧含量?
间隙氧是硅晶体中常见的杂质之一,它会影响硅材料的电学性能和机械性能。通过测量间隙氧含量,可以评估硅材料的质量,从而确保其在半导体器件制造中的可靠性。
GBT 1557-2006 中使用的红外吸收测量原理是什么?
该标准利用了硅晶体中氧原子对特定波长红外光的吸收特性。当红外光穿过含有氧杂质的硅样品时,部分光会被吸收,吸收强度与氧含量成正比。通过检测吸收光的强度变化,可以计算出样品中的间隙氧含量。
如何准备符合 GBT 1557-2006 的测试样品?
红外吸收测量过程中需要注意哪些事项?
GBT 1557-2006 测量结果是否需要进行修正?
是的,测量结果可能受到样品形状、表面状态及仪器精度等因素的影响,因此需要根据实际情况进行修正。修正系数通常由实验室自行确定,并记录在测量报告中。
GBT 1557-2006 是否适用于所有类型的硅材料?
该标准主要适用于单晶硅材料。对于多晶硅或非晶硅材料,可能需要调整测量条件或采用其他方法进行分析。
如果测量结果超出标准范围怎么办?
如果测量结果显示间隙氧含量超出预期范围,应检查样品制备过程是否规范,并重新测量。必要时,可联系供应商确认材料质量。
GBT 1557-2006 是否有国际对应的标准?
目前没有完全等同于 GBT 1557-2006 的国际标准,但国际上常用的类似方法包括 ASTM F121-02 和 SEMI MF1938,这些方法也基于红外吸收原理。