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    GBT 1557-2006 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
    硅晶体间隙氧红外吸收测量方法半导体材料
    14 浏览2025-06-09 更新pdf0.42MB 未评分
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    摘要:本文件规定了用红外吸收法测量硅晶体中间隙氧含量的方法、试验条件和结果计算。本文件适用于直拉法生长的硅单晶片中间隙氧含量的测定,氧含量范围通常为1×10^17 atoms/cm³至5×10^18 atoms/cm³。
    Title:Measurement method of interstitial oxygen content in silicon crystal by infrared absorption
    中国标准分类号:H22
    国际标准分类号:25.160.30

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    GBT 1557-2006 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
  • 拓展解读

    GBT 1557-2006 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法常见问题解答

    什么是 GBT 1557-2006 标准?

    GBT 1557-2006 是中国国家标准化管理委员会发布的标准,用于测定硅晶体中通过红外吸收法测量的间隙氧含量。此标准适用于半导体工业中对硅材料质量的控制。

    为什么需要测量硅晶体中的间隙氧含量?

    间隙氧是硅晶体中常见的杂质之一,它会影响硅材料的电学性能和机械性能。通过测量间隙氧含量,可以评估硅材料的质量,从而确保其在半导体器件制造中的可靠性。

    GBT 1557-2006 中使用的红外吸收测量原理是什么?

    该标准利用了硅晶体中氧原子对特定波长红外光的吸收特性。当红外光穿过含有氧杂质的硅样品时,部分光会被吸收,吸收强度与氧含量成正比。通过检测吸收光的强度变化,可以计算出样品中的间隙氧含量。

    如何准备符合 GBT 1557-2006 的测试样品?

    • 样品应为未经加工的硅晶体或切割后的硅片。
    • 样品表面需清洁,无油污或其他污染物。
    • 样品厚度应均匀,并符合标准要求(通常为1-2毫米)。
    • 样品需避免暴露在空气中过长时间,以减少氧化影响。

    红外吸收测量过程中需要注意哪些事项?

    • 确保红外光源稳定,避免外界干扰。
    • 校准仪器以消除系统误差。
    • 样品位置需固定,确保光路一致。
    • 测量环境需保持恒温恒湿,避免温度波动对结果的影响。

    GBT 1557-2006 测量结果是否需要进行修正?

    是的,测量结果可能受到样品形状、表面状态及仪器精度等因素的影响,因此需要根据实际情况进行修正。修正系数通常由实验室自行确定,并记录在测量报告中。

    GBT 1557-2006 是否适用于所有类型的硅材料?

    该标准主要适用于单晶硅材料。对于多晶硅或非晶硅材料,可能需要调整测量条件或采用其他方法进行分析。

    如果测量结果超出标准范围怎么办?

    如果测量结果显示间隙氧含量超出预期范围,应检查样品制备过程是否规范,并重新测量。必要时,可联系供应商确认材料质量。

    GBT 1557-2006 是否有国际对应的标准?

    目前没有完全等同于 GBT 1557-2006 的国际标准,但国际上常用的类似方法包括 ASTM F121-02 和 SEMI MF1938,这些方法也基于红外吸收原理。

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