资源简介
摘要:本文件规定了利用红外反射方法测量重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的原理、仪器设备要求、样品制备、测量步骤及数据处理方法。本文件适用于半导体材料中重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的非破坏性测量。
Title:Measurement of the Thickness of Lightly Doped Silicon Epitaxial Layers on Heavily Doped Substrates by Infrared Reflection Method
中国标准分类号:J72
国际标准分类号:47.020.30
封面预览
拓展解读
以下是关于 GBT 14847-1993 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法 的常见问题及其详细解答。
GBT 14847-1993 是中国国家标准,规定了通过红外反射法测量重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的具体方法。该标准适用于半导体制造领域,特别是需要精确测量硅外延层厚度的应用场景。
红外反射法利用了光在不同介质界面发生反射和折射的特性。当红外光照射到重掺杂衬底与轻掺杂硅外延层的界面上时,部分光线会被反射。通过分析反射光的强度和相位变化,可以推导出外延层的厚度。具体来说,反射光的干涉效应与外延层的厚度直接相关。
红外反射法主要适用于轻掺杂硅外延层的测量。对于某些特殊材料或极端条件下的外延层,可能需要结合其他测量方法进行验证。
是的,常见的替代方法包括:X射线衍射法 和 椭偏仪法。这些方法各有优缺点,但红外反射法因其快速性和经济性而被广泛采用。
可以通过以下方式验证:重复测量、与其他方法对比 或 参考已知标准样品 进行比对。
目前,该标准主要针对硅基材料设计。如果需要应用于其他半导体材料(如砷化镓或碳化硅),需根据具体情况进行调整或使用专门的标准。
根据标准要求,红外反射法的测量误差一般控制在±5%以内。实际误差可能因设备精度和操作规范而有所不同。