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资源简介
摘要：本文件规定了用汞探针电容-电压法测定硅外延层载流子浓度的方法。本文件适用于硅外延层中掺杂浓度的非破坏性测量，尤其适用于无法制备欧姆电极的情况。
Title：Determination of Carrier Concentration in Silicon Epitaxial Layers - Mercury Probe Capacitance-Voltage Method
中国标准分类号：L80
国际标准分类号：25.160 -
封面预览
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拓展解读
GBT 14146-2009 主要内容
GBT 14146-2009《硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法》规定了使用汞探针电容-电压法测定硅外延层载流子浓度的原理、仪器设备要求、样品制备、测试步骤及结果计算等内容。
与老版本的主要变化
- 测试原理: 新版对测试原理进行了更详细的描述，并增加了理论背景说明。
- 仪器设备: 对仪器设备的要求更加严格，新增了对数据采集系统的精度要求。
- 样品制备: 明确了样品表面处理的具体步骤，并增加了对样品尺寸和形状的要求。
- 测试步骤: 增加了对测试环境（如温度、湿度）的控制要求，并优化了测试过程中的操作细节。
- 结果计算: 新增了不确定度分析部分，提高了结果的可靠性。
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