资源简介
摘要:本文件规定了掺硼、掺磷、掺砷硅单晶中电阻率与掺杂剂浓度的换算方法及计算公式。本文件适用于半导体材料领域中硅单晶电阻率与掺杂剂浓度的换算。
Title:Specification for Conversion of Resistivity and Doping Concentration in Boron-doped, Phosphorus-doped and Arsenic-doped Silicon Single Crystals
中国标准分类号:H52
国际标准分类号:25.160
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拓展解读
GBT 13389-2014 是一项重要的国家标准,旨在规范掺硼、掺磷和掺砷的硅单晶材料中电阻率与掺杂剂浓度之间的换算关系。这项标准对于半导体器件的设计与制造具有重要意义,因为它为工程师提供了精确的计算依据,以确保材料性能符合设计要求。
在半导体工业中,硅单晶的电阻率直接反映了其掺杂剂浓度。通过准确地换算电阻率与掺杂剂浓度的关系,可以优化器件的电学性能并降低生产成本。本论文将深入探讨 GBT 13389-2014 的核心内容及其应用价值。
GBT 13389-2014 提供了以下关键信息:
这些公式基于半导体物理理论,并经过大量实验验证,确保了其在实际应用中的可靠性。
电阻率与掺杂剂浓度的换算在多个领域具有广泛的应用:
GBT 13389-2014 是半导体材料研究与应用中的重要工具,它为电阻率与掺杂剂浓度的换算提供了科学、准确的方法。通过遵循该标准,工程师和研究人员能够更高效地开发高性能半导体器件,推动半导体技术的发展。