-
资源简介
摘要：本文件规定了用直流两探针法测定硅、锗单晶电阻率的方法。本文件适用于硅、锗单晶材料电阻率的测量。
Title：Silicon and Germanium Single Crystals - Measurement of Resistivity - DC Two-Probe Method
中国标准分类号：H61
国际标准分类号：29.045 -
封面预览
-
拓展解读
GBT 1551-1995主要内容
GBT 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法》规定了通过直流两探针法测定硅和锗单晶电阻率的方法。该标准适用于电阻率范围在10-4Ω·cm至103Ω·cm之间的材料。
- 测量原理: 使用两个探针直接接触样品表面，通过施加恒定电流并测量电压降来计算电阻率。
- 设备要求: 需要高精度的电流源、电压表以及探针装置。
- 样品准备: 样品需经过适当的清洁和处理，确保接触良好。
- 测试环境: 测试应在恒温条件下进行，以减少温度对结果的影响。
与老版本的变化
相比老版本，GBT 1551-1995在以下几个方面进行了改进：
- 精度提升: 新版提高了测量精度，特别是在低阻值范围内的准确性。
- 适用范围扩展: 增加了对更高阻值样品的支持，扩大了应用范围。
- 标准化操作: 对操作步骤进行了更详细的描述，便于实际操作中遵循。
- 温度补偿: 强调了温度补偿的重要性，并提供了相应的参考数据。
-
下载说明预览图若存在模糊、缺失、乱码、空白等现象，仅为图片呈现问题，不影响文档的下载及阅读体验。 当文档总页数显著少于常规篇幅时，建议审慎下载。 资源简介仅为单方陈述，其信息维度可能存在局限，供参考时需结合实际情况综合研判。 如遇下载中断、文件损坏或链接失效，可提交错误报告，客服将予以及时处理。