资源简介
摘要:本文件规定了测量硅片径向电阻率变化的方法。本文件适用于单晶硅片和多晶硅片径向电阻率变化的测量。
Title:Measurement method for radial resistivity variation of silicon wafers
中国标准分类号:L80
国际标准分类号:25.160
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拓展解读
在遵守GBT 11073-1989标准的前提下,通过优化测量流程和资源利用,可以在保证测量精度的同时降低操作成本。以下是10项可行的弹性方案。